Züchtung versetzungsarmer GaAS-Substratkristalle von 3" und 4" Durchmessern mit dem vertikalen Bridgman/Gradient Freeze Verfahren : Laufzeit: 1.10.1998 - 31.12.2001 ; Forschungsbericht/Abschlußbericht ; novalas-Teilverband 1: Technologie von Hochleistungsdiodenlasern — [Elektronische Ressource] (Deutsch)
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2002
- Report / Elektronische Ressource
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Titel:Züchtung versetzungsarmer GaAS-Substratkristalle von 3" und 4" Durchmessern mit dem vertikalen Bridgman/Gradient Freeze Verfahren : Laufzeit: 1.10.1998 - 31.12.2001 ; Forschungsbericht/Abschlußbericht ; novalas-Teilverband 1: Technologie von Hochleistungsdiodenlasern
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Weitere Titelangaben:novalas-Teilverband 1: Technologie von Hochleistungsdiodenlasern
Technologie von Hochleistungsdiodenlasern
Teilbericht Strukturelle Eigenschaften von Si-dotierten VGF-GaAs -
Beteiligte:
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Ausgabe:[Elektronische Ressource]
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Verlag:
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Erscheinungsort:Erlangen [u.a.]
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Erscheinungsdatum:2002
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Format / Umfang:Online-Ressource (21, 95, 37, 21 p., 22,2 Mb.)
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Anmerkungen:Ill., graphs
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Also available as printed version
Langzeitarchivierung durch Technische Informationsbibliothek (TIB) / Leibniz-Informationszentrum Technik und Naturwissenschaften und Universitätsbibliothek -
Medientyp:Report
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Deutsch
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Reportnr. / Förderkennzeichen:13N7230
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