Schlussbericht zum Teilprojekt "Schädigungsarme Prozessintegration von High-K/Metall-Gate-Stacks mittels CMP für sub-32nm-CMOS" : Berichtszeitraum: 01.01.2010 - 30.06.2010 ; innerhalb des BMBF-Verbundprojektes "Metall-Gate-Elektroden und epitaktische Oxide als Gate-Stacks für zukünftige CMOS-Logik- und Speichergenerationen - MEGA EPOS" (Deutsch)
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2010
- Report / Elektronische Ressource
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Titel:Schlussbericht zum Teilprojekt "Schädigungsarme Prozessintegration von High-K/Metall-Gate-Stacks mittels CMP für sub-32nm-CMOS" : Berichtszeitraum: 01.01.2010 - 30.06.2010 ; innerhalb des BMBF-Verbundprojektes "Metall-Gate-Elektroden und epitaktische Oxide als Gate-Stacks für zukünftige CMOS-Logik- und Speichergenerationen - MEGA EPOS"
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Weitere Titelangaben:Schädigungsarme Prozessintegration von High-K/Metall-Gate-Stacks mittels CMP für sub-32nm-CMOS
MEGA EPOS -
Beteiligte:
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Verlag:
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Erscheinungsort:Darmstadt
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Erscheinungsdatum:2010
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Format / Umfang:Online-Ressource (32 S., 1,38 MB)
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Anmerkungen:Ill., graph. Darst.
Förderkennzeichen BMBF 13N9259. - Verbund-Nr. 01056351
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Auch als gedr. Ausg. vorhanden
Langzeitarchivierung durch Technische Informationsbibliothek (TIB) / Leibniz-Informationszentrum Technik und Naturwissenschaften und Universitätsbibliothek -
DOI:
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Medientyp:Report
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Deutsch
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Reportnr. / Förderkennzeichen:13N9259, 01056351
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Datenquelle: