Boron-oxygen-related recombination centers in crystalline silicon and the effects of dopant-compensation (Englisch, Deutsch)
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2012
- Hochschulschrift / Elektronische Ressource
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Titel:Boron-oxygen-related recombination centers in crystalline silicon and the effects of dopant-compensation
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Beteiligte:Lim, Bianca ( Autor:in )
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Hochschulschrift:Hannover, Univ., Diss., 2011
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:2012
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Format / Umfang:Online-Ressource (131 S., 25,5 MB)
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Anmerkungen:Langzeitarchivierung durch Technische Informationsbibliothek (TIB) / Leibniz-Informationszentrum Technik und Naturwissenschaften und Universitätsbibliothek
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Medientyp:Hochschulschrift
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Englisch, Deutsch
- Neue Suche nach: 53.36
- Weitere Informationen zu Basisklassifikation
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Schlagwörter:
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Klassifikation:
BKL: 53.36 Energiedirektumwandler, elektrische Energiespeicher -
Datenquelle: