Abschlußbericht zum Teilvorhaben "MOVPE-Schichttechnologie für GaN-Hochleistungsleuchtdioden auf Silizium" im Verbundprojekt "Effiziente, kostengünstige InGaN-Lichtquellen auf Silizium-Substraten für die Allgemeinbeleuchtung (GaNonSi)" : Laufzeit des Vorhabens: 01.02.2009 bis 30.06.2012 — Stand: 15.03.2013 (Deutsch)
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2013
- Report / Elektronische Ressource
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Titel:Abschlußbericht zum Teilvorhaben "MOVPE-Schichttechnologie für GaN-Hochleistungsleuchtdioden auf Silizium" im Verbundprojekt "Effiziente, kostengünstige InGaN-Lichtquellen auf Silizium-Substraten für die Allgemeinbeleuchtung (GaNonSi)" : Laufzeit des Vorhabens: 01.02.2009 bis 30.06.2012
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Weitere Titelangaben:MOVPE-Schichttechnologie für GaN-Hochleistungsleuchtdioden auf Silizium
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Beteiligte:
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Ausgabe:Stand: 15.03.2013
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Verlag:
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Erscheinungsort:[Dresden]
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Erscheinungsdatum:2013
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Format / Umfang:Online-Ressource (6 S., 645 KB)
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Anmerkungen:Ill., graph. Darst.
Förderkennzeichen BMBF 13N10252. - Verbund-Nr. 01068154
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Langzeitarchivierung durch Technische Informationsbibliothek (TIB) / Leibniz-Informationszentrum Technik und Naturwissenschaften und Universitätsbibliothek -
DOI:
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Medientyp:Report
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Deutsch
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Reportnr. / Förderkennzeichen:13N10252, 01068154
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Datenquelle: