Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories : Device Physics and Applications (Englisch)
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2016
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ISBN:
- Buch / Elektronische Ressource
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Titel:Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories : Device Physics and Applications
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Beteiligte:Park, Byung-Eun ( Herausgeber:in ) / Ishiwara, Hiroshi ( Herausgeber:in ) / Okuyama, Masanori ( Herausgeber:in ) / Sakai, Shigeki ( Herausgeber:in ) / Yoon, Sung-Min ( Herausgeber:in )
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Erschienen in:
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Verlag:
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Erscheinungsort:Dordrecht
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Erscheinungsdatum:2016
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Format / Umfang:1 Online-Ressource (XVIII, 347 Seiten)
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Anmerkungen:254 Illustrationen
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ISBN:
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DOI:
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Medientyp:Buch
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:
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Klassifikation:
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Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis E-Book
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Features, Principles and Development of Ferroelectric–Gate Field-Effect TransistorsOkuyama, Masanori et al. | 2016
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Development of High-Endurance and Long-Retention FeFETs of Pt/Ca y Sr1−y Bi2Ta2O9/(HfO2) x (Al2O3)1−x /Si Gate StacksTakahashi, Mitsue / Sakai, Shigeki et al. | 2016
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Nonvolatile Field-Effect Transistors Using Ferroelectric Doped HfO2 FilmsSchroeder, Uwe / Slesazeck, Stefan / Mikolajick, Thomas et al. | 2016
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Oxide-Channel Ferroelectric-Gate Thin Film Transistors with Nonvolatile Memory FunctionTokumitsu, Eisuke et al. | 2016
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ZnO/Pb(Zr,Ti)O3 Gate Structure Ferroelectric FETsKaneko, Yukihiro et al. | 2016
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Novel Ferroelectric-Gate Field-Effect Thin Film Transistors (FeTFTs): Controlled Polarization-Type FeTFTsFujimura, Norifumi / Yoshimura, Takeshi et al. | 2016
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Non-volatile Ferroelectric Memory Transistors Using PVDF and P(VDF-TrFE) Thin FilmsPark, Byung-Eun et al. | 2016
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Poly(Vinylidenefluoride-Trifluoroethylene) P(VDF-TrFE)/Semiconductor Structure Ferroelectric-Gate FETsFujisaki, Yoshihisa et al. | 2016
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P(VDF-TeFE)/Organic Semiconductor Structure Ferroelectric-Gate FETsKanashima, Takeshi / Okuyama, Masanori et al. | 2016
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Nonvolatile Ferroelectric Memory Thin-Film Transistors Using a Poly(Vinylidene Fluoride Trifluoroethylene) Gate Insulator and an Oxide Semiconductor Active ChannelYoon, Sung-Min et al. | 2016
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Mechanically Flexible Non-volatile Field Effect Transistor Memories with Ferroelectric PolymersKim, Richard H. / Park, Cheolmin et al. | 2016
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Non-volatile Paper Transistors with Poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) Thin Film Using a Solution Processing MethodPark, Byung-Eun et al. | 2016
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Novel Application of FeFETs to NAND Flash Memory CircuitsSakai, Shigeki / Takahashi, Mitsue et al. | 2016
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Novel Applications of Antiferroelectrics and Relaxor Ferroelectrics: A Material’s Point of ViewPark, Min Hyuk / Hwang, Cheol Seong et al. | 2016
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Adaptive-Learning Synaptic Devices Using Ferroelectric-Gate Field-Effect Transistors for Neuromorphic ApplicationsYoon, Sung-Min / Ishiwara, Hiroshi et al. | 2016
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Applications of Oxide Channel Ferroelectric-Gate Thin Film TransistorsTokumitsu, Eisuke / Shimoda, Tatsuya et al. | 2016