Comparison of the thermal stability of single Al2O3 layers and Al2O3/SiNx stacks for the surface passiviation of silicon (Englisch)
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2011
- Sonstige / Elektronische Ressource
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Titel:Comparison of the thermal stability of single Al2O3 layers and Al2O3/SiNx stacks for the surface passiviation of silicon
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Beteiligte:Veith, Boris ( Autor:in ) / Werner, Florian ( Autor:in ) / Zielke, Dimitri ( Autor:in ) / Brendel, Rolf ( Autor:in ) / Schmidt, Jan ( Autor:in ) / Technische Informationsbibliothek (TIB) ( Gastgebende Institution )
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Verlag:
- Neue Suche nach: Amsterdam : Elsevier BV
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Erscheinungsdatum:2011
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DOI:
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Medientyp:Sonstige
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Englisch
- Neue Suche nach: 500
- Weitere Informationen zu Dewey Decimal Classification
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Schlagwörter:Capping layer , Plasma enhanced chemical vapor deposition , Passivation , Single layer , Solar cells , Aluminum oxides , Ultra-thin , Room temperature , Ultrathin films , Chemical vapor deposition , Cell performance , P-type , Passivation layer , Aluminum oxide , Konferenzschrift , Surface passivation , Silicon nitride , Surface recombination velocities , Photovoltaic effects , Plasma deposition , Thermodynamic stability , Atomic layer deposited , Semiconducting silicon compounds , Crystalline materials , Silicon , Aluminium oxide , Halogen lamps , Crystalline silicon wafers , Oxide films , Oxides , Aluminum , Silicon wafers
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Klassifikation:
DDC: 500 -
Lizenzbestimmungen:
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Datenquelle: