X-parameter modelling of GaN HEMT based on neural network (Unbekannt)
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In:
The Journal of Engineering (2019)
;
2019
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ISSN:
- Aufsatz (Zeitschrift) / Elektronische Ressource
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Titel:X-parameter modelling of GaN HEMT based on neural network
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Beteiligte:
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Erschienen in:
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Verlag:
- Neue Suche nach: Wiley
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Erscheinungsdatum:2019
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ISSN:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Unbekannt
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Schlagwörter:high electron mobility transistors , wideband amplifiers , microwave circuits , gallium compounds , power amplifiers , backpropagation , neural nets , mathematics computing , iii-v semiconductors , electrical engineering computing , gan , ads software , model prediction data , matlab neural network box , bp neural network , x-parameter generator , gan hemt device cgh40010f , artificial neural network , nonlinearity , large-signal conditions , linear small-signal conditions , microwave circuit , s-parameters , x-parameter modelling , Engineering (General). Civil engineering (General) , TA1-2040
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Datenquelle:
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