Formation of MOS-transistors with isolation of active elements by oxiden porous silicon (Unbekannt)
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ISSN:
- Aufsatz (Zeitschrift) / Elektronische Ressource
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Titel:Formation of MOS-transistors with isolation of active elements by oxiden porous silicon
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Beteiligte:Novosyadlyi S. P. ( Autor:in ) / Vivcharuk V. M. ( Autor:in )
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Erschienen in:
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Verlag:
- Neue Suche nach: Politehperiodika
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Erscheinungsdatum:2009
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ISSN:
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Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Unbekannt
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Schlagwörter:
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Datenquelle:
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