Influence of AlN and GaN Pulse Ratios in Thermal Atomic Layer Deposited AlGaN on the Electrical Properties of AlGaN/GaN Schottky Diodes (Unbekannt)
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In:
Coatings, Vol 10, Iss 489, p 489 (2020)
;
2020
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ISSN:
- Aufsatz (Zeitschrift) / Elektronische Ressource
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Titel:Influence of AlN and GaN Pulse Ratios in Thermal Atomic Layer Deposited AlGaN on the Electrical Properties of AlGaN/GaN Schottky Diodes
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Beteiligte:
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Erschienen in:
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Verlag:
- Neue Suche nach: MDPI AG
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Erscheinungsdatum:2020
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ISSN:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Unbekannt
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Schlagwörter:
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Datenquelle:
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