Preparation method and application of g-C3N4/Cu/MoS2 ternary heterojunction material (Chinesisch)
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2020
- Patent / Elektronische Ressource
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Titel:Preparation method and application of g-C3N4/Cu/MoS2 ternary heterojunction material
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Weitere Titelangaben:一种g-CN/Cu/MoS三元异质结材料的制备方法及应用
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Patentnummer:CN111604080
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Patentanmelder:
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Patentfamilie:
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Beteiligte:FENG HUAN ( Autor:in )
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Verlag:
- Neue Suche nach: Europäisches Patentamt
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Erscheinungsdatum:01.09.2020
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Medientyp:Patent
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Chinesisch
- Neue Suche nach: B01J / C01B
- Weitere Informationen zu Internationale Patentklassifikation
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Klassifikation:
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Datenquelle: