Semiconductor device with backside power rail and method of forming same (Chinesisch)
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2022
- Patent / Elektronische Ressource
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Titel:Semiconductor device with backside power rail and method of forming same
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Weitere Titelangaben:具有背面电源轨的半导体器件及其形成方法
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Patentnummer:CN113948572
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Patentanmelder:
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Patentfamilie:
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Beteiligte:
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Verlag:
- Neue Suche nach: Europäisches Patentamt
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Erscheinungsdatum:18.01.2022
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Medientyp:Patent
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Chinesisch
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Klassifikation:
IPC: H01L Halbleiterbauelemente, SEMICONDUCTOR DEVICES -
Datenquelle: