Laminated source and drain electrode structure, preparation method and application thereof, organic thin film transistor and preparation method thereof (Chinesisch)
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2022
- Patent / Elektronische Ressource
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Titel:Laminated source and drain electrode structure, preparation method and application thereof, organic thin film transistor and preparation method thereof
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Weitere Titelangaben:一种叠层源漏电极结构及其制备方法和应用、有机薄膜晶体管及其制备方法
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Patentnummer:CN115347117
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Patentanmelder:
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Patentfamilie:
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Beteiligte:ZHU QIANG ( Autor:in ) / YANG ZHENXIN ( Autor:in ) / LU ZHENGHONG ( Autor:in ) / WANG DENGKE ( Autor:in ) / ZHANG YUXIAO ( Autor:in )
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Verlag:
- Neue Suche nach: Europäisches Patentamt
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Erscheinungsdatum:15.11.2022
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Medientyp:Patent
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Chinesisch
- Neue Suche nach: H01L
- Weitere Informationen zu Internationale Patentklassifikation
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Klassifikation:
IPC: H01L Halbleiterbauelemente, SEMICONDUCTOR DEVICES -
Datenquelle: