B-doped AlN single crystal and preparation method thereof (Chinesisch)
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2024
- Patent / Elektronische Ressource
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Titel:B-doped AlN single crystal and preparation method thereof
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Weitere Titelangaben:一种B掺杂AlN单晶及制备方法
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Patentnummer:CN117385468
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Patentanmelder:
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Patentfamilie:
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Beteiligte:ZHANG LEI ( Autor:in ) / WANG GUODONG ( Autor:in ) / CAO WENHAO ( Autor:in ) / WANG SHOUZHI ( Autor:in ) / YU JIAOXIAN ( Autor:in ) / XU XIANGANG ( Autor:in )
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Verlag:
- Neue Suche nach: Europäisches Patentamt
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Erscheinungsdatum:12.01.2024
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Medientyp:Patent
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Chinesisch
- Neue Suche nach: C30B
- Weitere Informationen zu Internationale Patentklassifikation
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Klassifikation:
IPC: C30B SINGLE-CRYSTAL GROWTH, Züchten von Einkristallen -
Datenquelle: