Groove type MOSFET and manufacturing method thereof (Chinesisch)
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2024
- Patent / Elektronische Ressource
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Titel:Groove type MOSFET and manufacturing method thereof
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Weitere Titelangaben:一种沟槽型MOSFET及其制造方法
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Patentnummer:CN117637823
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Patentanmelder:
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Patentfamilie:
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Beteiligte:ZHANG LEI ( Autor:in ) / TIAN BINWEI ( Autor:in )
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Verlag:
- Neue Suche nach: Europäisches Patentamt
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Erscheinungsdatum:01.03.2024
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Medientyp:Patent
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Chinesisch
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- Weitere Informationen zu Internationale Patentklassifikation
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Klassifikation:
IPC: H01L Halbleiterbauelemente, SEMICONDUCTOR DEVICES -
Datenquelle: