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Titel:降低漏电流的氮化镓半导体装置及其制造方法
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Patentnummer:CN117981087
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Patentfamilie:
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Verlag:
- Neue Suche nach: Europäisches Patentamt
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Erscheinungsdatum:03.05.2024
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Medientyp:Patent
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Chinesisch
- Neue Suche nach: H01L
- Weitere Informationen zu Internationale Patentklassifikation
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Klassifikation:
IPC: H01L Halbleiterbauelemente, SEMICONDUCTOR DEVICES -
Datenquelle: