Gatewiderstandsstruktur auf einem Halbleiterkörper (100), wobei der Halbleiterkörper (100) eine Gateelektrode (18) mit einem ersten Leitfähigkeitstyp oder einem zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist, wobei die Gateelektrode (18) eine Oberseite (101) aufweist, wobei die Gatewiderstandsstruktur Folgendes aufweist:einen ersten Halbleiterbereich (184) mit dem ersten Leitfähigkeitstyp, der sich von der Oberseite (101) in die Gateelektrode (18) in eine vertikale Richtung erstreckt,einen zweiten Halbleiterbereich (183) mit dem zweiten Leitfähigkeitstyp, der in der Gateelektrode (18) neben dem ersten Halbleiterbereich (184) angeordnet ist und daher einen p-n-Übergang mit dem ersten Halbleiterbereich (184) bildet, wobei der zweite Halbleiterbereich (183) unterhalb des ersten Halbleiterbereichs (184) in eine vertikale Richtung angeordnet ist;eine Isolierschicht (181), die angeordnet ist, um den ersten Halbleiterbereich (184) von der umgebenden Gateelektrode (18) zu isolieren,eine Kontaktschicht (19), die auf der Oberseite (101) angeordnet ist, die den ersten Halbleiterbereich (184) abdeckt, um den ersten Halbleiterbereich (184) elektrisch zu verbinden, und zusätzlich Teile der Oberseite (101) neben dem ersten Halbleiterbereich (184) in eine horizontale Richtung abdeckt.
A transistor device includes an individual transistor cell arranged in a transistor cell field on a semiconductor body, the individual transistor cell having a gate electrode. The transistor device further includes a gate contact, electrically coupled to the gate electrode and configured to switch on the individual transistor cell by providing a gate current in a first direction and configured to switch off the individual transistor cell by providing a gate current in a second direction, the second direction being opposite to the first direction. The transistor device also includes a gate-resistor structure monolithically integrated in the transistor device. The gate-resistor structure provides a first resistance for the gate current when the gate current flows in the first direction, and provides a second resistance for the gate current, which is different from the first resistance, when the gate current flows in the second direction.