Vorrichtung zum Herstellen eines Silizium-Einkristalls (Deutsch)
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2016
- Patent / Elektronische Ressource
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Titel:Vorrichtung zum Herstellen eines Silizium-Einkristalls
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Patentnummer:DE112015000435
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Patentanmelder:
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Patentfamilie:
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Beteiligte:YANAGIMACHI TAKAHIRO ( Autor:in ) / AKIBA MASAHIRO ( Autor:in ) / TOKUE JUNYA ( Autor:in ) / SONOKAWA SUSUMU ( Autor:in )
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Verlag:
- Neue Suche nach: Europäisches Patentamt
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Erscheinungsdatum:06.10.2016
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Medientyp:Patent
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Deutsch
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- Weitere Informationen zu Internationale Patentklassifikation
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Klassifikation:
IPC: C30B SINGLE-CRYSTAL GROWTH, Züchten von Einkristallen -
Datenquelle: