METHOD FOR GROWING A BETA-GA2O3-BASED SINGLE CRYSTAL (Englisch)
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2020
- Patent / Elektronische Ressource
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Titel:METHOD FOR GROWING A BETA-GA2O3-BASED SINGLE CRYSTAL
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Weitere Titelangaben:VERFAHREN ZUR ZÜCHTUNG EINES BETA-GA2O3-BASIERTEN EINKRISTALLS
MÉTHODE POUR FAIRE CROÎTRE UN MONOCRISTAL À BASE DE BETA-GA2O3 -
Patentnummer:EP2933359
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Patentanmelder:
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Patentfamilie:
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Beteiligte:WATANABE SHINYA ( Autor:in ) / WAKIMOTO DAIKI ( Autor:in ) / IIZUKA KAZUYUKI ( Autor:in ) / KOSHI KIMIYOSHI ( Autor:in ) / MASUI TAKEKAZU ( Autor:in )
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Verlag:
- Neue Suche nach: Europäisches Patentamt
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Erscheinungsdatum:11.03.2020
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Medientyp:Patent
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Englisch
- Neue Suche nach: C30B
- Weitere Informationen zu Internationale Patentklassifikation
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Klassifikation:
IPC: C30B SINGLE-CRYSTAL GROWTH, Züchten von Einkristallen -
Datenquelle: