METHOD OF MANUFACTURING β-Ga2O3-BASED SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE (Japanisch)
Freier Zugriff
- Neue Suche nach: KOSHI KIMIYOSHI
- Neue Suche nach: WATANABE SHINYA
- Neue Suche nach: TAKIZAWA MASARU
- Neue Suche nach: YAMAOKA MASARU
- Neue Suche nach: WATANABE MAKOTO
- Neue Suche nach: MASUI TAKEKAZU
- Neue Suche nach: KOSHI KIMIYOSHI
- Neue Suche nach: WATANABE SHINYA
- Neue Suche nach: TAKIZAWA MASARU
- Neue Suche nach: YAMAOKA MASARU
- Neue Suche nach: WATANABE MAKOTO
- Neue Suche nach: MASUI TAKEKAZU
2016
- Patent / Elektronische Ressource
-
Titel:METHOD OF MANUFACTURING β-Ga2O3-BASED SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
-
Weitere Titelangaben:β−Ga2O3系単結晶基板の製造方法
-
Patentnummer:JP2016013934
-
Patentanmelder:
-
Patentfamilie:
-
Beteiligte:KOSHI KIMIYOSHI ( Autor:in ) / WATANABE SHINYA ( Autor:in ) / TAKIZAWA MASARU ( Autor:in ) / YAMAOKA MASARU ( Autor:in ) / WATANABE MAKOTO ( Autor:in ) / MASUI TAKEKAZU ( Autor:in )
-
Verlag:
- Neue Suche nach: Europäisches Patentamt
-
Erscheinungsdatum:28.01.2016
-
Medientyp:Patent
-
Format:Elektronische Ressource
-
Sprache:Japanisch
- Neue Suche nach: C30B / H01L
- Weitere Informationen zu Internationale Patentklassifikation
-
Klassifikation:
-
Datenquelle: