RAISING METHOD OF Ga2O3-BASED SINGLE CRYSTAL, AND CRUCIBLE (Japanisch)
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- Neue Suche nach: KOSHI KIMIYOSHI
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2016
- Patent / Elektronische Ressource
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Titel:RAISING METHOD OF Ga2O3-BASED SINGLE CRYSTAL, AND CRUCIBLE
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Weitere Titelangaben:Ga2O3系単結晶の育成方法、及び坩堝
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Patentnummer:JP2016117606
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Patentanmelder:
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Patentfamilie:
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Beteiligte:KOSHI KIMIYOSHI ( Autor:in )
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Verlag:
- Neue Suche nach: Europäisches Patentamt
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Erscheinungsdatum:30.06.2016
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Medientyp:Patent
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Japanisch
- Neue Suche nach: C30B
- Weitere Informationen zu Internationale Patentklassifikation
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Klassifikation:
IPC: C30B SINGLE-CRYSTAL GROWTH, Züchten von Einkristallen -
Datenquelle: