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Titel:化学気相成長法を用いた太陽電池用CIGS光吸収層の製造方法
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Patentnummer:JP2024517320
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Patentfamilie:
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Verlag:
- Neue Suche nach: Europäisches Patentamt
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Erscheinungsdatum:19.04.2024
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Medientyp:Patent
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Japanisch
- Neue Suche nach: H01L
- Weitere Informationen zu Internationale Patentklassifikation
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Klassifikation:
IPC: H01L Halbleiterbauelemente, SEMICONDUCTOR DEVICES -
Datenquelle: