STACKED GATE-ALL-AROUND FINFET AND METHOD FORMING THE SAME (Koreanisch)
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2016
- Patent / Elektronische Ressource
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Titel:STACKED GATE-ALL-AROUND FINFET AND METHOD FORMING THE SAME
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Weitere Titelangaben:적층형 게이트 올 어라운드 FINFET 및 그 형성 방법
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Patentnummer:KR20160099445
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Patentanmelder:
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Patentfamilie:
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Beteiligte:
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Verlag:
- Neue Suche nach: Europäisches Patentamt
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Erscheinungsdatum:22.08.2016
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Medientyp:Patent
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Koreanisch
- Neue Suche nach: H01L
- Weitere Informationen zu Internationale Patentklassifikation
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Klassifikation:
IPC: H01L Halbleiterbauelemente, SEMICONDUCTOR DEVICES -
Datenquelle: