High voltage transistor structure and method of fabricating the same (Englisch)
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2022
- Patent / Elektronische Ressource
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Titel:High voltage transistor structure and method of fabricating the same
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Patentnummer:US11251279
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Patentanmelder:
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Patentfamilie:
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Beteiligte:
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Verlag:
- Neue Suche nach: Europäisches Patentamt
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Erscheinungsdatum:15.02.2022
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Medientyp:Patent
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Englisch
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- Weitere Informationen zu Internationale Patentklassifikation
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Klassifikation:
IPC: H01L Halbleiterbauelemente, SEMICONDUCTOR DEVICES -
Datenquelle: