In situ chamber clean with inert hydrogen helium mixture during wafer process (Englisch)
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2016
- Patent / Elektronische Ressource
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Titel:In situ chamber clean with inert hydrogen helium mixture during wafer process
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Patentnummer:US9269562
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Patentanmelder:
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Patentfamilie:
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Beteiligte:DINSMORE ROBERT ( Autor:in ) / FORSTER JOHN C ( Autor:in ) / SUH SONG-MOON ( Autor:in ) / TSAI CHENG-HSIUNG ( Autor:in ) / MORI GLEN T ( Autor:in )
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:23.02.2016
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Medientyp:Patent
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Englisch
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- Weitere Informationen zu Internationale Patentklassifikation
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Klassifikation:
IPC: H01L Halbleiterbauelemente, SEMICONDUCTOR DEVICES -
Datenquelle: