Method of producing silicon single crystal ingot (Englisch)
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2017
- Patent / Elektronische Ressource
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Titel:Method of producing silicon single crystal ingot
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Patentnummer:US9777394
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Patentanmelder:
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Patentfamilie:
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Beteiligte:SONOKAWA SUSUMU ( Autor:in ) / SATO WATARU ( Autor:in ) / MITAMURA NOBUAKI ( Autor:in ) / OHTA TOMOHIKO ( Autor:in )
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Verlag:
- Neue Suche nach: Europäisches Patentamt
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Erscheinungsdatum:03.10.2017
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Medientyp:Patent
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Englisch
- Neue Suche nach: C30B / H01L
- Weitere Informationen zu Internationale Patentklassifikation
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Klassifikation:
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Datenquelle: