Method for growing beta-Ga2O3-based single crystal, and beta-Ga2O3-based single crystal substrate and method for producing same (Englisch)
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2018
- Patent / Elektronische Ressource
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Titel:Method for growing beta-Ga2O3-based single crystal, and beta-Ga2O3-based single crystal substrate and method for producing same
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Patentnummer:US9915009
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Patentanmelder:
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Patentfamilie:
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Beteiligte:KOSHI KIMIYOSHI ( Autor:in ) / WATANABE SHINYA ( Autor:in )
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:13.03.2018
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Medientyp:Patent
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Englisch
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- Weitere Informationen zu Internationale Patentklassifikation
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Klassifikation:
IPC: C30B SINGLE-CRYSTAL GROWTH, Züchten von Einkristallen -
Datenquelle: