An X-ray direct detector and a method for preparing same. The method for preparing an X-ray direct detector comprises the steps of: dissolving organic urea, an organic ligand, a carbon-group halide metal and a halide salt in an organic solvent, so as to prepare a precursor sol, wherein the halide salt comprises an organic ammonium halide or an alkali halide metal (S10); performing a film formation treatment on the precursor sol on a surface of a substrate, and then performing an annealing treatment, and forming, on the surface of the substrate, a quantum array film layer made of two-dimensional hybrid perovskite (S20); and preparing an electrode layer on the surface of the quantum array film layer that faces away from the substrate, so as to obtain an X-ray direct detector (S30). In the method for preparing an X-ray direct detector, organic urea can inhibit the rapid aggregation and agglomeration of octahedrons in two-dimensional hybrid perovskite; the thickness of a quantum array film layer can reach 100 μm or above; the two-dimensional hybrid perovskite is grown on a surface of a substrate and in an orientation perpendicular to the substrate, so as to form a quantum array film layer having a great thickness and the strong absorption of an X-ray; and the X-ray direct detector has a high detection sensitivity.
L'invention concerne un détecteur direct de rayons X et son procédé de préparation. Le procédé de préparation d'un détecteur direct de rayons X comprend les étapes consistant à : dissoudre de l'urée organique, un ligand organique, un métal d'halogénure de groupe carbone et un sel d'halogénure dans un solvant organique, de façon à préparer un sol précurseur, le sel d'halogénure comprenant un halogénure d'ammonium organique ou un métal d'halogénure alcalin (S10) ; effectuer un traitement de formation de film sur le sol précurseur sur une surface d'un substrat, puis effectuer un traitement de recuit, et former, sur la surface du substrat, une couche de film de réseau quantique constituée de pérovskite hybride bidimensionnelle (S20) ; et préparer une couche d'électrode sur la surface de la couche de film de réseau quantique qui est tournée à l'opposé du substrat, de façon à obtenir un détecteur direct de rayons X (S30). Dans le procédé de préparation d'un détecteur direct de rayons X, l'urée organique peut inhiber l'agrégation et l'agglomération rapides d'octaèdres dans une pérovskite hybride bidimensionnelle ; l'épaisseur d'une couche de film de réseau quantique peut atteindre 100 µm ou plus ; la pérovskite hybride bidimensionnelle est mise à croître sur une surface d'un substrat et dans une orientation perpendiculaire au substrat, de façon à former une couche de film de réseau quantique ayant une grande épaisseur et la forte absorption d'un rayon X ; et le détecteur direct de rayons X a une sensibilité de détection élevée.
一种X射线直接探测器及其制备方法,其中,X射线直接探测器的制备方法包括步骤:将有机脲、有机配体、卤化碳族金属和卤盐溶解于有机溶剂中,配置成前驱体溶胶;卤盐包括有机卤化铵或者卤化碱金属(S10);将前驱体溶胶在衬底表面成膜处理后,退火处理,在衬底表面形成二维杂化钙钛矿的量子阵列膜层(S20);在量子阵列膜层背离衬底的表面制备电极层,得到X射线直接探测器(S30)。在X射线直接探测器的制备方法中,有机脲可以抑制二维杂化钙钛矿中八面体的快速聚集团聚,量子阵列膜层的厚度可以达到100μm以上,二维杂化钙钛矿在衬底表面垂直于衬底取向生长,形成厚度高、对X射线具有强吸收的量子阵列膜层,探测灵敏度高。