METHOD FOR GROWING SINGLE CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE (Japanisch)
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2024
- Patent / Elektronische Ressource
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Titel:METHOD FOR GROWING SINGLE CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
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Weitere Titelangaben:PROCÉDÉ DE CROISSANCE DE MONOCRISTAL, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR ET SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
単結晶の育成方法、半導体基板の製造方法、及び半導体基板 -
Patentnummer:WO2024070239
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Patentanmelder:
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Patentfamilie:
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Beteiligte:
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Verlag:
- Neue Suche nach: Europäisches Patentamt
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Erscheinungsdatum:04.04.2024
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Medientyp:Patent
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Format:Elektronische Ressource
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Sprache:Japanisch
- Neue Suche nach: C30B / H01L
- Weitere Informationen zu Internationale Patentklassifikation
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Klassifikation:
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Datenquelle: