Embodiments of the invention provide a semiconductor device and an electronic device. The semiconductor device comprises a plurality of layer structures arranged in a stacked manner. The plurality of layer structures comprise, sequentially arranged, a substrate, a thin film silicon layer and a device layer. The substrate is provided with a cavity. The thin film silicon layer is arranged on the upper surface of the substrate. The device layer is arranged on the thin film silicon layer. The device layer forms a transducer structure. At least one layer structure is provided with a temperature compensation layer. The temperature compensation layer is located above the thin film silicon layer in the stacking direction. The temperature compensation layer is a doped silicon oxide layer, and the dopant of the temperature compensation layer comprises at least one of fluorine, hydrogen, methyl, methylene, chlorine, carbon, nitrogen, phosphorus and sulfur. By means of embodiments of the present application, the temperature coefficient can be remarkably increased, such that the temperature compensation effect can be met, and the stability of the semiconductor device is improved.
L'invention concerne, selon certains modes de réalisation, un dispositif à semi-conducteurs et un dispositif électronique. Le dispositif à semi-conducteurs comprend une pluralité de structures de couche agencées de manière empilée. La pluralité de structures de couche comprennent, agencées séquentiellement, un substrat, une couche de silicium à film mince et une couche de dispositif. Le substrat est pourvu d'une cavité. La couche de silicium à film mince est disposée sur la surface supérieure du substrat. La couche de dispositif est disposée sur la couche de silicium à film mince. La couche de dispositif forme une structure de transducteur. Au moins une structure de couche est pourvue d'une couche de compensation de température. La couche de compensation de température est située au-dessus de la couche de silicium à film mince dans la direction d'empilement. La couche de compensation de température est une couche d'oxyde de silicium dopé, et le dopant de la couche de compensation de température comprend au moins l'un parmi le fluor, l'hydrogène, le méthyle, le méthylène, le chlore, le carbone, l'azote, le phosphore et le soufre. Au moyen des modes de réalisation de la présente demande, le coefficient de température peut être remarquablement augmenté, de telle sorte que l'effet de compensation de température peut être satisfait, et la stabilité du dispositif à semi-conducteurs est améliorée.
本申请实施例提供一种半导体器件及电子设备,该半导体器件包括层叠设置的多个层结构,多个层结构包括依次设置的衬底、薄膜硅层和器件层,衬底具有空腔,薄膜硅层设置于衬底的上表面,器件层设置于薄膜硅层上,且器件层形成换能器结构,至少一个层结构设置有温补层,且在层叠方向上,温补层位于薄膜硅层的上方,其中,温补层为掺杂氧化硅层,温补层的掺杂物包括氟、氢、甲基、亚甲基、氯、碳、氮、磷、硫中的至少一种。本申请实施例可以显著的增大温度系数,即可以满足温补效果,提高半导体器件的稳定性。