Patentschutz für das Dotieren von Diamanten. Amerikanisches Verfahren arbeitet mit energiearmen Dotierungsionen von rund 100 Kiloelektronvolt (Deutsch)
In:
Blick durch die Wirtschaft
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36
, 243 16.12.93
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8
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1993
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ISSN:
- Aufsatz (Zeitschrift) / Print
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Titel:Patentschutz für das Dotieren von Diamanten. Amerikanisches Verfahren arbeitet mit energiearmen Dotierungsionen von rund 100 Kiloelektronvolt
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Erschienen in:Blick durch die Wirtschaft ; 36, 243 16.12.93 ; 8
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:1993
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Format / Umfang:1 Seite
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ISSN:
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Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
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Format:Print
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Sprache:Deutsch
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Schlagwörter:Elektronenenergie , Fremdatomzusatz , Diamant , Kristallwachstum , Halbleiterwerkstoff , Temperaturgang , Druckabhängigkeit , Gasphasenabscheidung , chemische Abscheidung , Wasserstoff , Methan , Ionenimplantation , Natrium , Rubidium , Phosphor , Germanium , Kerntechnik , Kernreaktor , Raumfahrttechnik , Brennkammer , Rakete , Wärmebelastung , Kernstrahlung , Dosimetrie
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Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis – Band 36, Ausgabe 243 16.12.93
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Neue Werkstoffmischung erlaubt mehr Daten auf Speicherplatten. Japanische Forscher ersetzen Halbleiterlaser durch Argon-Ionen-Laser bei einer Wellenlänge von 500 Nanometern| 1993
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Patentschutz für das Dotieren von Diamanten. Amerikanisches Verfahren arbeitet mit energiearmen Dotierungsionen von rund 100 Kiloelektronvolt| 1993