Messung der elektrischen Parameter an Halbleiter-Vielschichtstrukturen und Untersuchung ihrer Einsatzmoeglichkeiten zur Realisierung neuer Bauelemente
(Deutsch)
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Aufgedampfte Si-Halbleiter mit Vielschichtstrukturen (VSS), die ein einkristallines Verhalten zeigten, wurden hinsichtlich ihrer Zusammensetzung, des Leistungstyps und der Dotierung theoretisch und experimentell untersucht. Darueber hinaus berechnete man fuer ein Frequenzvervielfacher aus pn-VSS die Kapazitaets-Spannungsverlaeufe und die Oberwellen. Ueber einen sehr lichtempfindlichen Photodetektor wird berichtet, und auf Uebergittereffekte bei Si-SiGe-VSS weist man hin. Neben einertabellarischen Schichtdickeneinteilung der VSS-Halbleiter verdeutlichen numerische Betrachtungen, Ersatzschaltbilder und Aufbauskizzen das Verhalten sowie die angewendete Messtechnikund die Sputtertechnologie.