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Es wird der Verlauf der Elektrolumineszenz in MIS-Systemen mit n-GaAs- und N-dotierten SiC-Einkristallen und Epitaxialschichten (Glimmerdielektrikum) bei Erregung mit rechteckigen Spannungsimpulsen beider Polaritaet (groesser oder gleich 750 V) untersucht, ebenso bei auf die GaAs-Kristalloberflaeche aufgedampften halbdurchsichtigen Ni-Schichten (negative Impulse groesser oder gleich 22 V). Es wird eine wesentliche Erhoehung der Strahlungsintensitaet bei einer Zunahme der Dichte der Oberflaechenzustaende (Verarmungsfeld) festgestellt. Man bespricht die Generationsmechanismen der Nichtgleichgewichtsladungstraeger, einschliesslich der thermischen Generation aus Oberflaechenzentren mit darauffolgender Stossionisation der raeumlichen Zentren.