Einfluss der Defekte, die durch Neutronenbestrahlung eingefuehrt werden, auf die Kathodenlumineszenz von p-n-Uebergaengen, die mittels Diffusion von Zn in GaAs entstanden sind
(Russisch)
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Die Aenderung der Intensitaetsverteilung der Kathodolumineszenz (KL) und des induzierten Stromes werden an neutronenbestrahlten, Zn-diffundierten GaAs-p-n-Uebergaengen untersucht. Die KL in der Diodenbasis aendert sich bereits bei 1012 n/cm2 und vermindert sich um das fuenfzigfache bei einer integrierten Neutronendosis von 1014n/cm2. Diese Verminderung und die im p-Bereich um den Faktor 10 bei Neutronendosen bis 1015n/cm2 stehen in Uebereinstimmung mit den Aenderungen der Diffusionslaenge der Minoritaetstraeger. Bei geringen Elektronendichten in der Basis wird eine Verschiebung des p-n-Uebergangs in die Basistiefe bei Fluessen von 1011 bis 1012 n/cm2 beobachtet, die einer 4 Mikrometer breiten Fremdstoffkompensierten Schicht zugeschrieben werden.
Einfluss der Defekte, die durch Neutronenbestrahlung eingefuehrt werden, auf die Kathodenlumineszenz von p-n-Uebergaengen, die mittels Diffusion von Zn in GaAs entstanden sind