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Ausarbeitung der Technologie der Herstellung von hochphotoempfindlichen CdS-Filmen mit grosser Flaeche und hoher Homogenitaet der Verteilung der Photoleitfaehigkeit auf der Flaeche. Die Filme wurden mittels Destruktion einer metallorganischen Chelatverbindung bei thermischer Einwirkung erzeugt. Untersuchung der photoelektrischen Grundeigenschaften dieser Filme. Mit ihnen wurden positions-empfindliche Photowiderstaende vom Differentialtyp, die ueber eine Vorspannungslinearitaet von 1,0 bis 2 Prozent und ein Aufloesungsvermoegen von mindestens 5 Mikrometer verfuegen sowie Rasterphotowiderstaende, deren Lichtstrom bei 200lx und 10V Betriebsspannung mindestens 10mAund deren Dunkelwiderstand mindestens 103MegaOhm betraegt, hergestellt.