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Das Rauschverhalten des Feldeffekttransistors wird untersucht. Zu den Rauschquellen gehoert u.a. das Waermerauschen im leitenden Kanal. Ferner tritt Schrotrauschen an der Sperrstelle auf. Einige Berechnungen werden durchgefuehrt. Infolge des Einflusses ungesteuerter Serienstoeerwiderstaende an den Ableitungselektroden u.a. Gruenden kann in einem praktischen Transistor das Waermerauschen hoeher als berechnet auftreten. Weitere Quellen ist das Redundanzrauschen, fuer dessen Berechnung bisher technische Methoden fehlen. Bei Transistoren mit niedriger Sperrspannung, einem grossen Verhaeltnis der Kennliniensteilheit zum Ableitstrom und einer hohen Eingangskapazitaet ist dieses Rauschen maessig. Gross ist es dagegen bei Feldeffektransistoren mit isolierter Sperre und mit der Struktur "Metall-Dielektrikum-Halbleiter". Richtlinien fuer die Auslegung realer Verstaerkerstufen werden vorgelegt.