Untersuchung der Eigenschaften von Duennfilmkondensatoren auf der Basis von Niobiumoxiden nach der Methode der Relaxationsstroeme im Dielektrikum
(Russisch)
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Anhand des von Simmons vorgeschlagenen Bandschemas fuer Metall-Metalloxid-Metall-Kondensatoren werden durch Messung der Spitze des Relaxationsstromes fuer verschiedene Temperaturen aus dem Relaxationsstrommaximum die Tiefe des Energieniveaus und die Konzentration der Fremdstoffdonoren bestimmt und zwar fuer einen Nb-Nb2O5-Al-Kondensator (C=10000 pF; tg-Delta = 0,01; Belegung 0,1 cm 2). Dieser wurde durch Oxydieren von Nb-Filmen im 1prozentigen H3PO4-Elektrolyten bei 0,3 mA/cm erhalten. Aus den Messergebnissen berechnet man: Delta E t= 0,103 eV; N t= 2,1.10 20 cm (hoch-3).