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Vorschlag der Modellierung des Prozesses der Zweistadiendiffusion von Gleichungssystemen, welche die Abhaengigkeit der Mittelwerte und der Variationskoeffizienten in einer Serie von Platten fuer den Oberflaechenwiderstand der Diffusionsschicht, die Tiefe der Fremdstoffdiffusion und die Oxiddicke, die nach dem zweiten Diffusionsstadium an jeder Platte der Serie gemessen werden, von den technologischen Faktoren des ersten und zweiten Stadiums gleichzeitig beschreiben. Dabei faellt die Notwendigkeit der Zwischenkontrolle der Platten zwischen dem ersten und zweiten Stadium weg. Das erhaltene Modell der Zweistadiendiffusion von Bor in Silicium aus dem fluessigen Diffusanten in der Stroemung des Traegergases wird in einem automatisierten Steuerungssystem fuer die technologischen Hauptprozesse benutzt.