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Unter der Vorasusetzung, dass in einem Halbleiter die Dichte eines Excitonengases genuegend hoch ist, kann eine Kontakthyperfeinwechselwirkung der Kerne mit den Excitonen erfolgen. Die zugehoerige Relaxationszeit wird fuer den Fall berechnet, dass sich die relative Bewegung eines Excitons und eines Lochs in einem Exciton durch eine 1S-Wellenfunktion beschreiben laesst. Es wird gezeigt, dass die Relaxationsrate, die bei T=0 verschwindet, mit steigender Temperatur durch ein Maximum geht. Mit Hilfe dieser Abhaengigkeit kann zwischen der Excitonrelaxation und anderen Relaxationsmechanismen unterschieden werden. Die Voraussetzungen, unter denen die Excitonrelaxation experimentell beobachtet sein sollte, werden diskutiert.