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Der transferred-electron-Effekt wurde in Ga(x)In(1-x)Sb als Funktion von x untersucht, wobei folgende Methoden verwendet wurden: Mikrowellen-Aufheizung bei 35 GHz, DC-Strom-Spannungs-Charakteristiken, Potentialverteilung und Hochfelddomaenen-Charakteristiken. Dabei wurden in einem weiten Bereich von x (0,4 bis 0,9) negative differentielle Beweglichkeiten festgestellt, wobei die Domaenengeschwindigkeit bei hohen Feldern etwa konstant bleibt (bis x=0,82). Konsistent quantitative Ergebnisse werden fuer x=0,82 zusammengestellt. Temperaturabhaengige Untersuchungen zeigen, dass die negativen differentiellen Beweglichkeiten bei 170 Grad C verschwinden. Verglichen mit GaAs werden die Unterschiede auf ein niedrigeres Schwellfeld, eine geringere Domaenengeschwindigkeit und daher eine geringere Energiedissipation in Ga(x)In(1-x)Sb zurueckgefuehrt.