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Der Einfluss des Druckes auf die Bandstruktur und auf flache Stoerstellen ist in Halbleitern theoretisch gut erklaert und bildet die Grundlage dieser Arbeit. Es werden gebundene Exzitonen und Stoerstellen in GaSb mit und ohne aeussere Druckfehler untersucht. Aus der Druckabhaengigkeit der Lumineszenz- und Reflexionslinien werden die Deformationspotentiale gebundener und freier Loecher bestimmt. Ausserdem wird der Einfluss hoeherer Leitungsbandminima auf Stoerstellenzustaende sowie die Inversion vom direkten zum indirekten Halbleiter und die damit verbundenen Auswirkungen auf die Photolumineszenz untersucht.