0.5 micron gate CMOS technology using E-beam/optical mix lithography (Englisch)
- Neue Suche nach: Wang, L.K.
- Neue Suche nach: Tour, K.
- Neue Suche nach: Moy, D.
- Neue Suche nach: Dennard, R.H.
- Neue Suche nach: Chiong, K.
- Neue Suche nach: Hohn, F.
- Neue Suche nach: Coane, P.J.
- Neue Suche nach: Edenfeld, A.
- Neue Suche nach: Wang, L.K.
- Neue Suche nach: Tour, K.
- Neue Suche nach: Moy, D.
- Neue Suche nach: Dennard, R.H.
- Neue Suche nach: Chiong, K.
- Neue Suche nach: Hohn, F.
- Neue Suche nach: Coane, P.J.
- Neue Suche nach: Edenfeld, A.
In:
Sympos. on VLSI Technology
;
13-14
;
1986
- Aufsatz (Konferenz) / Print
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Titel:0.5 micron gate CMOS technology using E-beam/optical mix lithography
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Weitere Titelangaben:0,5-Mikrometer-Gate-CMOS-Technologie unter Verwendung von Elektronenstrahl- und optischer Mischlithographie
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Beteiligte:Wang, L.K. ( Autor:in ) / Tour, K. ( Autor:in ) / Moy, D. ( Autor:in ) / Dennard, R.H. ( Autor:in ) / Chiong, K. ( Autor:in ) / Hohn, F. ( Autor:in ) / Coane, P.J. ( Autor:in ) / Edenfeld, A. ( Autor:in )
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Erschienen in:Sympos. on VLSI Technology ; 13-14
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:1986
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Format / Umfang:2 Seiten, 7 Bilder, 6 Quellen
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Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:
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Datenquelle: