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In SOI-Technologie (Silicon-On-Insulator) ausgeführte elektronische Komponenten für Hochtemperaturanwendungen machen es möglich, elektronische Schaltkreise und Systeme ständig bei Temperaturen über 225 Grad C zu betreiben und dennoch eine lange Lebensdauer zu gewährleisten. Diese Technologie, die ABB für die Offshore-Erdöl- und -Erdgasgewinnung entwickelt hat, wird für die intelligente Bohrloch-Elektronik eingesetzt. Sie erfüllt nicht nur die Forderungen der Erdölindustrie nach höherer Zuverlässigkeit und mehr Funktionalität, sondern ermöglicht auch eine effizientere und wirtschaftlichere Erschließung komplexer Erdöl- und Erdgaslagerstätten. Weitere Einsatzmöglichkeiten für Hochtemperatur-Elektronik bestehen in der Automobil- und Raumfahrtindustrie. Der Ausdruck Hochtemperatur-Elektronik (HTE) bezieht sich auf elektronische Schaltkreise und Systeme, die bei Temperaturen über 125 Grad C, der maximalen Betriebstemperatur für die meisten handelsüblichen elektronischen Bauteile, arbeiten sollen. Die Firma ABB Offshore Systems arbeitet z.Z. in enger Zusammenarbeit mit ABB Corporate Research in Norwegen an einem zuverlässigen 'intelligenten' Fördersystem für den Einsatz unter extrem rauen Umgebungsbedingungen, wie sie z.B. bei der Bohrlochförderung von Gas und Öl auftreten. Das System ist in SOI-Technologie ausgeführt und versetzt Erdölgesellschaften in die Lage, komplexe Erdöl- und Erdgaslagerstätten effizient und kostenoptimal zu erschließen. Das Marktpotential für die HTE wird derzeit auf rund 10 Mrd. US-Dollar geschätzt. Der größte Einsatzbereich für die HTE liegt in der Motor-, Abgas- und Bremsregelung für Kraftfahrzeuge (200-250 Grad C). Er dürfte bis zum Jahr 2005 rund 65 % des Marktes ausmachen. Die Bohrloch-Elektronik (250 Grad C) und die Raumfahrttechnik (max. 800 Grad C) sind die nächsten beiden großen Anwendungsgebiete mit voraussichtlich je rund 14 % des Marktes. Folgende vier grundlegenden physikalischen Eigenschaften bestimmen das Betriebsverhalten von Halbleiterbauelementen bei hoher Temperatur: (1) Eigenleitungsdichte der Träger, (2) Leckstrom, (3) Trägerbeweglichkeit und (4) Schleusenspannung. Als wesentliche Faktoren, die die Lebensdauer von Hochtemperatur-Halbleitern beeinträchtigen werden genannt: (1) Elektroimigration, (2) elektrische Metall-Silizium-Kontakte, (3) Hot-Carrier-Effekte und (4) dielektrische Degradation.