ZnO/GaN heterointerfaces and ZnO films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on (0001) GaN/Al2O3 (Englisch)
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In:
Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces, 27
;
2313-2321
;
2000
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ISSN:
- Aufsatz (Konferenz) / Print
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Titel:ZnO/GaN heterointerfaces and ZnO films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on (0001) GaN/Al2O3
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Beteiligte:Hong, S.K. ( Autor:in ) / Ko, H.J. ( Autor:in ) / Chen, Y. ( Autor:in ) / Hanada, T. ( Autor:in ) / Yao, T. ( Autor:in )
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Erschienen in:
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:2000
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Format / Umfang:9 Seiten, 35 Quellen
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ISSN:
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Coden:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:Galliumverbindung , Zwei-Sechs-Verbindung , Drei-Fünf-Verbindung , Grenzflächenstruktur , Molekularstrahlepitaxie , Photolumineszenz , Plasmaabscheidung , Halbleiterepitaxialschicht , Halbleiterwachstum , Heteroübergang , Transmissionselektronenmikroskopie , Halbleiter mit großer Energielücke , Röntgenbeugung , Zinkverbindung , optische Eigenschaft , Oberflächenstruktur , Struktureigenschaft
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Datenquelle: