A comparison of Rutherford backscattering spectroscopy and X-ray diffraction to determine the composition of thick InGaN epilayers (Englisch)
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- Neue Suche nach: Nakagawa, Y.
In:
International Conference on Nitride Semiconductors, 4
;
41-44
;
2001
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ISSN:
- Aufsatz (Konferenz) / Print
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Titel:A comparison of Rutherford backscattering spectroscopy and X-ray diffraction to determine the composition of thick InGaN epilayers
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Beteiligte:Srinivasan, S. ( Autor:in ) / Liu, R. ( Autor:in ) / Bertram, F. ( Autor:in ) / Ponce, F.A. ( Autor:in ) / Tanaka, S. ( Autor:in ) / Omiya, H. ( Autor:in ) / Nakagawa, Y. ( Autor:in )
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Erschienen in:Physica Status Solidi (B) - Basic Research ; 228, 1 ; 41-44
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:2001
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Format / Umfang:4 Seiten
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ISSN:
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Coden:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:Indium , epitaxiale Schicht , Röntgenbeugung , RBS (Rutherford-Rückstreuung) , Spektrometrie , zweiachsige Spannung , Gitterkonstante , Korrelation , Vergleich , A3-B5-Verbindung , Al2O3 , Aluminiumverbindung , Amaryl , Aufdampfen , Aufdampfschicht , Beschichten , Beschichtungsmethode , Keramik , CVD-Beschichten , Verformbarkeit , Beugung (Strahl) , Edelmetallverbindung , Edelstein , Elastizität , Fabrikation , Fertigungsprozess
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Datenquelle: