Photodetectors based on heterostructures for optoelectronic applications (Englisch)
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In:
Advanced Materials and Devices for Sensing and Imaging, 1
;
306-316
;
2002
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ISSN:
- Aufsatz (Konferenz) / Print
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Titel:Photodetectors based on heterostructures for optoelectronic applications
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Beteiligte:Nabet, B. ( Autor:in ) / Cola, A. ( Autor:in ) / Cataldo, A. ( Autor:in ) / Chen, Xiying ( Autor:in ) / Quaranta, F. ( Autor:in )
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Erschienen in:
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:2002
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Format / Umfang:11 Seiten, 9 Quellen
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ISSN:
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Coden:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:Aluminiumverbindung , Dunkelleitfähigkeit , Galliumarsenid , HEMT (High Electron Mobility Transistor) , Drei-Fünf-Verbindung , Laserradar , optoelektronisches Bauelement , Lichtempfänger , Fernmessung , Heteroübergang , Heterostruktur , Optoelektronik , optisches Bauelement , Statik , dynamische Eigenschaft , Sensor , Telekommunikation , elektrisches Feld , hohe Geschwindigkeit , Strom-Spannungs-Kennlinie , Antwortzeit , Aluminiumgalliumarsenid
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Datenquelle: