AlGaN nanocolumns and AlGaN/GaN/AlGaN nanostructures grown by molecular beam epitaxy (Englisch)
- Neue Suche nach: Ristic, J.
- Neue Suche nach: Sanchez, Garcia M.A.
- Neue Suche nach: Ulloa, J.M.
- Neue Suche nach: Calleja, E.
- Neue Suche nach: Sanchez, Paramo J.
- Neue Suche nach: Calleja, J.M.
- Neue Suche nach: Jahn, U.
- Neue Suche nach: Trampert, A.
- Neue Suche nach: Ploog, K.H.
- Neue Suche nach: Ristic, J.
- Neue Suche nach: Sanchez, Garcia M.A.
- Neue Suche nach: Ulloa, J.M.
- Neue Suche nach: Calleja, E.
- Neue Suche nach: Sanchez, Paramo J.
- Neue Suche nach: Calleja, J.M.
- Neue Suche nach: Jahn, U.
- Neue Suche nach: Trampert, A.
- Neue Suche nach: Ploog, K.H.
In:
IWN 2002, International Workshop on Nitride Semiconductors, 2
;
717-721
;
2002
-
ISSN:
- Aufsatz (Konferenz) / Print
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Titel:AlGaN nanocolumns and AlGaN/GaN/AlGaN nanostructures grown by molecular beam epitaxy
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Beteiligte:Ristic, J. ( Autor:in ) / Sanchez, Garcia M.A. ( Autor:in ) / Ulloa, J.M. ( Autor:in ) / Calleja, E. ( Autor:in ) / Sanchez, Paramo J. ( Autor:in ) / Calleja, J.M. ( Autor:in ) / Jahn, U. ( Autor:in ) / Trampert, A. ( Autor:in ) / Ploog, K.H. ( Autor:in )
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Erschienen in:Physica Status Solidi (B) - Basic Research ; 234, 3 ; 717-721
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:2002
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Format / Umfang:5 Seiten, 3 Bilder, 1 Tabelle, 11 Quellen
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ISSN:
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Coden:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:Kennzeichencharakterisierung , hexagonale Kristallstruktur , Durchmesser , MBE (Molekularstrahlepitaxie) , Molekularstrahl , Phonon , Arbeit (Physik) , inelastische Streuung , kaltes Leuchten , Emission , Peak , Position , Güte , Heterostruktur , Urheberrecht , Fachzeitschrift , Nanostruktur , A3-B5-Verbindung , Aluminiumnitrid , Aluminiumverbindung , Keramik , Kristallisation , Durchstrahlungselektronenmikroskopie , Einkristall , Elektronenmikroskopie , Emissionsspektrum , Epitaxialtechnik , Funktionswerkstoff , Galliumnitrid , Galliumverbindung
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Datenquelle: