UV light-emitting diode fabricated on hetero-ELO-grown Al0.22Ga0.78N with low dislocation density (Englisch)
- Neue Suche nach: Kamiyama, S.
- Neue Suche nach: Iwaya, M.
- Neue Suche nach: Takanami, S.
- Neue Suche nach: Terao, S.
- Neue Suche nach: Miyazaki, A.
- Neue Suche nach: Amano, H.
- Neue Suche nach: Akasaki, I.
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- Neue Suche nach: Iwaya, M.
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- Neue Suche nach: Terao, S.
- Neue Suche nach: Miyazaki, A.
- Neue Suche nach: Amano, H.
- Neue Suche nach: Akasaki, I.
In:
ISBLLED, International Symposium on Blue Lasers and Light Emitting Diodes, 4
;
296-300
;
2002
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ISSN:
- Aufsatz (Konferenz) / Print
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Titel:UV light-emitting diode fabricated on hetero-ELO-grown Al0.22Ga0.78N with low dislocation density
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Beteiligte:Kamiyama, S. ( Autor:in ) / Iwaya, M. ( Autor:in ) / Takanami, S. ( Autor:in ) / Terao, S. ( Autor:in ) / Miyazaki, A. ( Autor:in ) / Amano, H. ( Autor:in ) / Akasaki, I. ( Autor:in )
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Erschienen in:Physica Status Solidi (A) - Applied Research ; 192, 2 ; 296-300
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:2002
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Format / Umfang:5 Seiten, 4 Bilder, 1 Tabelle, 14 Quellen
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ISSN:
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Coden:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:Interface (Zwischenschicht) , Versetzungsdichte , LED (lichtemittierende Diode) , Hochleistung , Durchlassstrom , Emission , Peak , Wellenlänge , Quantentopf , aktive Schicht , Quantenausbeute , Fachzeitschrift , A3-B5-Verbindung , Aluminiumnitrid , Aluminiumverbindung , Ausbeute , Bauelement , Keramik , Kristallisation , Defekthalbleiter , Elektrolumineszenz , Elektronikbauteil , Emissionsspektrum , Epitaxialtechnik , Extrinsic-Halbleiter , Fabrikation , Funktionswerkstoff , Galliumnitrid , Galliumverbindung , Halbleiterbauelement , Halbleiterdiode , Halbleiterlichtquelle , Halbleitermaterial , Halbleitertechnologie
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Datenquelle: