A mechanistic study of GaN laser lift-off (Englisch)
- Neue Suche nach: Bret, T.
- Neue Suche nach: Hoffmann, P.
- Neue Suche nach: Wagner, V.
- Neue Suche nach: Martin, D.
- Neue Suche nach: Ilegems, M.
- Neue Suche nach: Bret, T.
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- Neue Suche nach: Martin, D.
- Neue Suche nach: Ilegems, M.
In:
IWN 2002, International Workshop on Nitride Semiconductors, 2
;
559-562
;
2002
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ISSN:
- Aufsatz (Konferenz) / Print
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Titel:A mechanistic study of GaN laser lift-off
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Beteiligte:Bret, T. ( Autor:in ) / Hoffmann, P. ( Autor:in ) / Wagner, V. ( Autor:in ) / Martin, D. ( Autor:in ) / Ilegems, M. ( Autor:in )
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Erschienen in:Physica Status Solidi (A) - Applied Research ; 194, 2 ; 559-562
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:2002
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Format / Umfang:4 Seiten, 3 Bilder, 16 Quellen
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ISSN:
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Coden:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:Excimer , Aufblättern (Schicht) , Monitoring , Tröpfchen , Lichtmikroskopie , blauer Korund , Laser , Glattheit , Urheberrecht , Fachzeitschrift , A3-B5-Verbindung , Abtrennen , Al2O3 , Aluminiumverbindung , Amaryl , Keramik , Edelmetallverbindung , Edelstein , Funktionswerkstoff , Galliumnitrid , Galliumverbindung , Halbleitermaterial , Halbleiterverbindung , Laserstrahl , Leichtmetallverbindung , Lichtstrahl , Materialeigenschaft , Metalloxid , Metallverbindung , Mineral , Nichtmetallverbindung , Nitrid , Oxid , Oxidkeramik
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Datenquelle: