Properties of Schottky barrier photodiodes based on InGaN/GaN MQW structures (Englisch)
- Neue Suche nach: Rivera, C.
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- Neue Suche nach: Pereiro, J.
- Neue Suche nach: Munoz, E.
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In:
E-MRS Spring Meeting, 2004, Symposium L of E-MRS Spring Meeting, Symposium on InN, GaN AIN and Related Materials, Their Heterostructures, and Devices, 2004
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849-857
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2004
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ISSN:
- Aufsatz (Konferenz) / Print
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Titel:Properties of Schottky barrier photodiodes based on InGaN/GaN MQW structures
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Weitere Titelangaben:Eigenschaften von Schottky-Barrieren-Photodioden basierend auf InGaN/GaN-MQW-Strukturen
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Beteiligte:Rivera, C. ( Autor:in ) / Pau, J.L. ( Autor:in ) / Pereiro, J. ( Autor:in ) / Munoz, E. ( Autor:in )
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Erschienen in:Superlattices and Microstructures ; 36, 4-6 ; 849-857
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:2004
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Format / Umfang:9 Seiten, 5 Bilder, 11 Quellen
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ISSN:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Konferenz)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:Photodiode , Schottky-Diode , Schottky-Barriere , Quantentopf , Herstellung , Indiumgalliumnitrid , Galliumnitrid , Heterostruktur , MBE (Molekularstrahlepitaxie) , Halbleiterschicht , chemische Zusammensetzung , Röntgenbeugung , Siliciumnitrid , Plasma-CVD , Ohm-Kontakt , Titan , Aluminium , Gold , Photostrom , Bändermodell , Strom-Spannungs-Charakteristik , Dunkelstrom , sichtbares Spektrum , Ultraviolettbereich , Energielücke , elektrisches Feld , Sperrschicht , Photodetektor
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Datenquelle: