High dielectric constant oxides (Englisch)
- Neue Suche nach: Robertson, J.
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In:
European Physical Journal, Applied Physics
;
28
, 3
;
265-291
;
2004
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ISSN:
- Aufsatz (Zeitschrift) / Print
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Titel:High dielectric constant oxides
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Beteiligte:Robertson, J. ( Autor:in )
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Erschienen in:European Physical Journal, Applied Physics ; 28, 3 ; 265-291
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Verlag:
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Erscheinungsdatum:2004
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Format / Umfang:27 Seiten, 153 Quellen
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ISSN:
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Coden:
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DOI:
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Medientyp:Aufsatz (Zeitschrift)
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Format:Print
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Sprache:Englisch
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Schlagwörter:Bandstruktur , chemische Bindung , komplementäre MOS-Schaltung , dielektrischer Werkstoff , dielektrische Schicht , Diffusion , DRAM (dynamic RAM) , Feldeffekttransistor , Hafniumverbindung , Grenzflächenstruktur , Leckstrom , Dielektrizitätskonstante , Siliciumverbindung , Dünnschichtkondensator , Dünnschicht-FET , MOS-FET , Kristallisation , Atomdiffusion , Grenzflächenreaktion , elektronische Struktur , elektrischer Kondensator , Siliciumdioxid , elektronische Eigenschaft
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Datenquelle:
Inhaltsverzeichnis – Band 28, Ausgabe 3
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High dielectric constant oxidesRobertson, J. et al. | 2004
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